To back-to-back diode PN veikryss på et transistoren. Fremover bias EB knute hull injiseres fra emitter regionen, CB i omvendt bias krysset barriere under påvirkning av et elektrisk felt til samleren, danner solfangeren gjeldende IC. Mesteparten av kollektoren bias spenning mellom emitter og legges på omvendt partisk kollektoren.
Hvis transistoren #39; s emitter nåværende forsterke koeffisienten β = IC/IB = 100, samler gjeldende IC = beta * IB = 10mA. Hvis en vekslende base stabling bias kretsen for små gjeldende IB, vises i samler kretsen en tilsvarende vekselstrøm IC, c/IB = beta, bipolare transistoren #39; s gjeldende forsterkning blir realisert.